El primer diseño de sensor de imagen apilado en dos capas
En un sensor CMOS, cada celda de la matriz del mismo sensor es autónoma. Cada célula se compone así de un fotodetector (un fotodiodo) y un transistor activo. El fotodiodo capta la ingreso de luz y la convierte en una señal eléctrica, mientras que el transistor es el encargado de transmitir esta señal. En otras palabras, fotodiodos y transistores se hallan en un mismo sustrato.
Sony tiene actualmente una doble capa para sus transistores, un diseño más eficaz que promete mejorar el rango dinámico
Con este ultimo diseño de Sony, el fotodiodo y el transistor se aíslan en capas distintas, acumulando el fotodiodo encima del transistor. Esto, según la empresa, permite extender el rango dinámico de la fotografía, al captar y transmitir luz de forma más eficaz.
También, Sony alega que con esta distribución son capaces de acrecentar el tamaño de varios de los transistores, optimando así la calidad en escenarios de baja luminosidad.
La empresa no da fechas por ahora, pero es posible que percibamos este nuevo diseño en los sensores CMOS de los equipos móviles del año 2022. El progreso en rango dinámico se antoja golosa, pero permanecerá por ver cómo procesan los fabricantes la fotografía para sacar provecho o a esta información extra.
“Además, debido a que los transistores de píxeles distintos de las puertas de transferencia (TRG), incluidos los transistores de reinicio (RST), transistores selectos (SEL) y transistores de amplificador (AMP), ocupan una capa libre de fotodiodos, los transistores de amplificador pueden aumentar de tamaño”. Sony dice. “Al aumentar el tamaño del transistor del amplificador, Sony logró reducir sustancialmente el ruido al que son propensas las imágenes nocturnas y de otros lugares oscuros”.
Dejá tu comentario